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81.
Fe_3O_4在氢氩混合气氛下(10%H_2/90%Ar)可以通过一步固相反应法轻微还原生成Fe_3O_4/FeO核/壳纳米材料,上述结果已经在X线衍射仪、X线光电子能谱、高分辨透射电镜的测量结果中得到验证。Fe_3O_4/FeO核/壳纳米材料分别受外磁场和零磁场冷至200 K以下时,发现样品受外磁冷下的磁滞回线有明显的向左偏移现象,即交换偏置。另外,纳米材料的交换偏置效应随测试温度升高而减弱,此现象归因于材料界面处的铁磁耦合作用。这种制备方法可能会对其它具有交换偏置现象复合材料的研究提供一种简单有效的实验依据,并有望在交换偏置现象调控方面提供进一步研究。 相似文献
82.
83.
为了实现对浮选过程中挥发出的黄药气体的有效检测,采用水热法制备了 In2O3纳米球,考察了水热
时间和热处理温度对最终制备产物形貌和结构的影响。结果表明,在水热时间和热处理温度分别为 2 h 和 400 ℃
的条件下,可获得粒径小、分散性好和结晶性优良的 In2O3纳米球,其直径为 100~200 nm,由六方相 In2O3晶体颗粒构
成。以该 In2O3纳米球为气敏材料制备了黄药气体传感器,气敏测试结果表明,In2O3纳米球在最佳工作温度 300 ℃
时可获得对黄药气体的最大灵敏度,其灵敏度与黄药气体浓度之间呈现出较好的线性关系,同时也具有优异的反
应可逆性、稳定性和可重复性。 相似文献
84.
采用光学显微镜、扫描电镜、差热分析及透射电镜等手段,对一种航空用超高强7055铝合金大尺寸铸锭的均匀化工艺进行分析与优化。提出分级提高均匀化温度的方法,在确保不发生过烧的情况下,最大限度改善铸锭质量。结果显示:低温预均匀化时,铸锭中析出大量的Al3Zr相,能够大幅度降低对后续挤压变形的再结晶比例;对铸锭采用400 ℃×4 h+465 ℃×16 h+474 ℃×8 h的分级均匀化处理工艺,能够显著消除铸锭中低熔点相的含量,提高铸锭质量,同时相比于原工艺节省约13 h。新的均匀化处理工艺,不仅提高了生产效率,还能够为后续工艺提供良好的铸锭。 相似文献
86.
目的分离脊髓灰质炎病毒Ⅲ型Sabin株(sPVⅢ)C抗原和D抗原,并分析其部分特性。方法采用CsCl密度梯度离心法分离sPVⅢ的C抗原和D抗原,电镜观察病毒形态;SDS-PAGE检测病毒结构蛋白组成;微量BCA法检测蛋白浓度,计算每种抗原所占比例;细胞病变法检测病毒滴度。同时检测上样浓度及超离次数对C抗原纯度的影响。结果sPVⅢC抗原和D抗原在透射电镜下均呈球形,C抗原病毒颗粒密度较小,外壳大多较为松散,D抗原病毒颗粒密度较大,结构更稳固;C抗原由VP0、VP1、VP3蛋白组成,D抗原由VP1、VP2、VP3和VP4蛋白组成;C抗原和D抗原分别约占总蛋白含量的10%和90%,部分C抗原在分离前及分离过程中易产生聚集;D抗原的病毒滴度高于C抗原。降低上样浓度及进行二次超离可提高C抗原纯度。结论采用CsCl密度梯度离心法成功分离了sPVⅢ的C抗原和D抗原,C抗原滴度远低于D抗原,且部分易产生聚集,较难达到较高纯度。 相似文献
87.
88.
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 相似文献
89.
在通信用户数密集用户业务总量较多的UMi场景下,无线网络节点较多小区覆盖半径较小,用户在小区间移动导致小区间用户分布不均匀,原有用户数及业务量标准部署的5G异构网络相对稀疏,无法满足用户流动产生热点热时容量需求时,双小区协作流动热点补偿采用异构网络多点协作传输技术对小区进行补热,将处于相同移动状态的多个用户虚拟成一个以中心用户为中心的用户簇,建立3D MIMO流动热点模型,提出在两小区以用户最小传输速率为约束条件,最小化小区基站总功率的优化算法,得出高容量、高速率用户体验的"潮汐效应"解决方案。 相似文献
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